분야
ppt 실 험 목 적
MOS-FET의 드레인 특성을 실험적으로 결정한다.
FET 증폭기에 대한 여러가지 바이어스를 고찰 한다.
MOS-FET 공통 소스 증폭기의 전압이득을 측정 한다.
♣ 증가형 MOS-FET
드레인과 소스 사이에 채널이 없다.
N형 드래인과 소스가 P형 기판에 의 해 분리 되어 있다.
게이트부위는 이산화 실리콘(SiO2 ) 의 절연층이 기판단자 사이에 있다.
게이트가 FET의 기판으로 부터 절연되어 있어서 MOS-FET를 절연게이트 FET라고도 부른다.
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